VGF InP (100) Fe doped, 2"x0.35 mm wafer, 1sp - IPFea50D035C1US
HomeStore

VGF InP (100) Fe doped, 2"x0.35 mm wafer, 1sp - IPFea50D035C1US

VGF InP (100) Fe doped, 2"x0.35 mm wafer, 1sp - IPFea50D035C1US

VGF InP single crystal wafer Orientation:   (100)
Size:                                                      2" diameter x 0.35mm
Doping:                                                  Fe doped
Conducting type:                                     Semi-Insulating
Resistivity:                                              (1.96-5.15) E7 ohm.cm
Mobility:                                                 2200-2560 cmE2/V.s
EPD:                                                      <5000 /cmE2
Polish:                                                   one side polished

EPI ready surface and packing

Related Products

Other GaAs


InSb

Other InAs

 InP 


GaSb

Wafer Box

Film Coater

RTP Furnaces



 

$475.65

Original: $1,359.00

-65%
VGF InP (100) Fe doped, 2"x0.35 mm wafer, 1sp - IPFea50D035C1US

$1,359.00

$475.65

VGF InP (100) Fe doped, 2"x0.35 mm wafer, 1sp - IPFea50D035C1US

VGF InP single crystal wafer Orientation:   (100)
Size:                                                      2" diameter x 0.35mm
Doping:                                                  Fe doped
Conducting type:                                     Semi-Insulating
Resistivity:                                              (1.96-5.15) E7 ohm.cm
Mobility:                                                 2200-2560 cmE2/V.s
EPD:                                                      <5000 /cmE2
Polish:                                                   one side polished

EPI ready surface and packing

Related Products

Other GaAs


InSb

Other InAs

 InP 


GaSb

Wafer Box

Film Coater

RTP Furnaces



 

Product Information

Shipping & Returns

Description

VGF InP single crystal wafer Orientation:   (100)
Size:                                                      2" diameter x 0.35mm
Doping:                                                  Fe doped
Conducting type:                                     Semi-Insulating
Resistivity:                                              (1.96-5.15) E7 ohm.cm
Mobility:                                                 2200-2560 cmE2/V.s
EPD:                                                      <5000 /cmE2
Polish:                                                   one side polished

EPI ready surface and packing

Related Products

Other GaAs


InSb

Other InAs

 InP 


GaSb

Wafer Box

Film Coater

RTP Furnaces